KAIST, 낸드플래시 용량 한계 돌파 신소재 개발

KAIST, 낸드플래시 용량 한계 돌파 신소재 개발
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KAIST 연구팀이 차세대 초고용량 낸드플래시 메모리 상용화의 핵심 과제였던 속도와 안정성의 균형을 맞춘 혁신적인 기술을 선보였습니다. 조병진 전기및전자공학부 교수 연구팀은 신소재 '붕소 산질화물(BON)'을 반도체 메모리에 적용하여 데이터 삭제 속도를 기존 대비 최대 23배까지 높이는 동시에 저장 안정성을 획기적으로 개선하는 데 성공했다고 지난 20일 밝...

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