홈 / 국내뉴스 / DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET… DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료 국내주식뉴스팀 · 2026년 09월 09일 20:46 · 조회 7 · 댓글 0 공유하기 국내 대표 8인치 파운드리 전문기업인 DB하이텍111,500원 ▲+10.62%이 8인치 웨이퍼 기반의 1,200V SiC MOSFET 공정에 대한 신뢰성 검증을 성공적으로 마쳤습니다. 이번 검증 완료로 인해 회사는 2027년까지 양산체제 구축을 본격화하며, 글로벌 전력반도체 시장에서 경쟁력을 강화하는 중요한 발판을 마련하였습니다. SiC(실리콘카바이드)는 ... Free Membership 🔓 로그인하고 기사전체를 이어서 읽기 30초면 무료회원가입 완료, 포인트 지급 무료 회원가입 로그인 📰 관련 뉴스 2차전지뉴스 PREMIUM 현대 Tucson N, 350마력 하이브리드 기대 국내뉴스 DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료 2차전지뉴스 PREMIUM POSCO, 원자력 PPA 제안으로 탄소중립 가속화 2차전지뉴스 유통단계 LPG품질검사 건수·적발률 하락, 이유는 국내뉴스 한성대, AI·기계·로봇 결합 신설학과 첫선 #000990 #DB하이텍 #SiC, 파운드리, 양산, 공정기술, 신뢰성 #전력반도체 ← 이전 뉴스 글로벌 선박업계, 해상위기 ‘역대급’ 위협에 직면 다음 뉴스 Stanley Druckenmiller, 반도체 대신 로봇 AI에 투자 강화 → 댓글 남기기 취소댓글을 달기 위해서는 로그인해야합니다.
