홈 / 국내뉴스 / KAIST, 차세대 메모리 스위칭 원리… KAIST, 차세대 메모리 스위칭 원리 규명 2026년 02월 09일 01:20 · 조회 12 · 댓글 0 공유하기 KAIST 연구진이 전기 스위칭의 핵심 원리를 실시간으로 관찰하는 데 성공하며 차세대 메모리 소재 개발에 중요한 진전을 이루었습니다. 이번 연구는 특히 전기적 신호가 켜지고 꺼지는 순간의 물리적 변화를 명확히 규명하여, 초고속·저전력 메모리 반도체 설계에 적용 가능성을 열었습니다.KAIST 생명화학공학과 서준기 교수 연구팀은 경북대학교 이태훈 교수 연구팀과... Free Membership 🔓 로그인하고 기사전체를 이어서 읽기 30초면 무료회원가입 완료, 포인트 지급 무료 회원가입 로그인 📰 관련 뉴스 국내뉴스 코스피, 5,500선 돌파…외국인·기관 매입 주도 국내뉴스 코스피, 장중 5500선 돌파 국내뉴스 고수들, M&A 리스크 속 SK이터닉스 ‘사자’ 국내뉴스 삼성전자, 장 초반 급등…20만원 주시 국내뉴스 현대지에프홀딩스, 지배구조 개편 기대감에 강세 #메모리반도체 #전기 스위칭 원리 #차세대 메모리, 비정질 텔루륨, 반도체 댓글 남기기 취소댓글을 달기 위해서는 로그인해야합니다.
