홈 / 국내뉴스 / KAIST, 낸드플래시 용량 한계 돌파… KAIST, 낸드플래시 용량 한계 돌파 신소재 개발 2026년 03월 20일 11:46 · 조회 8 · 댓글 0 공유하기 KAIST 연구팀이 차세대 초고용량 낸드플래시 메모리 상용화의 핵심 과제였던 속도와 안정성의 균형을 맞춘 혁신적인 기술을 선보였습니다. 조병진 전기및전자공학부 교수 연구팀은 신소재 '붕소 산질화물(BON)'을 반도체 메모리에 적용하여 데이터 삭제 속도를 기존 대비 최대 23배까지 높이는 동시에 저장 안정성을 획기적으로 개선하는 데 성공했다고 지난 20일 밝... Free Membership 🔓 로그인하고 기사전체를 이어서 읽기 30초면 무료회원가입 완료, 포인트 지급 무료 회원가입 로그인 📰 관련 뉴스 국내뉴스 삼성전기, 3.65% 하락세 속 밸류에이션 매력 부각 2차전지뉴스 에코프로, 0.46% 상승 속 변동폭 3,100원 기록 국내뉴스 유니버설 로봇, AI 학습 속도 높이는 협동 로봇 솔루션 공개 2차전지뉴스 PREMIUM 현대차, 인도 공략 가속…전기차·하이브리드 신차 쏟아낸다 국내뉴스 보스턴다이나믹스, 휴머노이드 핵심은 액추에이터…현대모비스·SL 수혜 #낸드플래시 #메모리반도체 #반도체 소재 댓글 남기기 취소댓글을 달기 위해서는 로그인해야합니다.
